Kostengünstige bedrahtete Klein-MOSFETs

Neues aus dem Hause APEC

21. März 2013

MOSFETs kennt man als Bauteile in Leistungsgehäusen oder als SMD-Miniaturausführung. Als preiswerte Alternative zum klassischen dreibeinigen Kleinleistungs-Bipolar-Transistor hat APEC (Vertrieb: HY-LINE Power Components) den AP4002T auf den Markt gebracht: Dieser im bedrahteten TO-92-Kunststoffgehäuse verpackte N-Kanal Anreicherungs-MOSFET bietet eine Drain-Source-Durchbruchsspannung von mindestens 600 V, einen Drain-Source-Durchgangswiderstand von maximal 5 Ω im eingeschalteten Zustand und einen maximalen Dauer-Drainstrom von 400 mA. Damit ist er unter anderem als Schalttransistor für Universalnetzteile mit Weitbereichs-eingang geeignet. Die Einschaltzeit beträgt maximal 10 ns, die zulässige Verlustleistung 2 W.

Sollte die Leistung einmal im Laufe einer Entwicklung doch nicht ausreichen, sind ohne elektrisches Redesign der Schaltung auch AP4002-Varianten in TO-220-, TO-251-, TO-252- und TO-263-Gehäusen mit dann bis zu 20 W Verlustleistung verfügbar.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.hy-line.de/apec